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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2402
2229
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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