RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
122
Rund um 80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
122
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
5.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2222
1411
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link