RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
92
Rund um -229% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
16.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3837
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link