RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
42
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2222
2427
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link