RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2201
3711
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link