RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
71
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
1902
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link