RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Compara
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
71
En 51% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
71
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1994
1902
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link