RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
35
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
3075
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link