RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
36
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3317
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link