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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gesamtnote
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
64
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2239
2016
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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