RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
25
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2239
3220
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link