RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
73
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
8.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
2524
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link