RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
38
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2144
3837
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link