RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
3149
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link