Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gesamtnote
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Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 52
    Rund um 33% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 10
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 52
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 10.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2312 left arrow 2169
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche