Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Pontuação geral
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Pontuação geral
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Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 52
    Por volta de 33% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 10
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 7.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 52
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 10.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2312 left arrow 2169
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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