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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 52
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 7.6
    テスト平均値
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB 考慮すべき理由
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2169

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