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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
38
周辺 34% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
38
読み出し速度、GB/s
12.1
14.6
書き込み速度、GB/秒
8.6
12.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2915
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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