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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
12.1
14.6
写入速度,GB/s
8.6
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2915
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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