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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
57
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
57
读取速度,GB/s
11.4
9.5
写入速度,GB/s
7.4
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2213
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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