RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2277
3075
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link