RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2277
3562
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link