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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

总分
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 28
    左右 7% 更低的延时
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.2 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 19.1
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 16.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2277 left arrow 3562

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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix LuoSilk-8G-1600Mhz 8GB
SK Hynix LuoSilk-8G-1600Mhz 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
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Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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