RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1632
3372
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link