RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3460
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link