RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
15.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2279
3693
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Lenovo 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link