RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2279
2104
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link