RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
73
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2279
1843
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link