RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
73
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
73
Prędkość odczytu, GB/s
9.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.9
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2279
1843
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link