RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
69
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
3.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1129
3171
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link