RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
69
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
3.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.7
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1129
2319
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link