RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2238
3273
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link