RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2238
3273
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link