RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3273
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link