RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
27
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1936
3435
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link