RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
74
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
1825
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link