RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
74
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1825
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link