RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
53
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2388
2319
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link