RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2298
2925
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Jinyu 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link