RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
101
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2128
1382
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology ADOVF1A083FE 1GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5 1GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link