RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
25
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2187
3110
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link