RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
75
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
2897
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link