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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
3,986.4
16.2
写入速度,GB/s
2,036.1
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2897
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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