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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
14.3
15.4
写入速度,GB/s
9.4
11.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2534
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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