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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
48
读取速度,GB/s
12.3
11.6
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2466
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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