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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 50% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
46
读取速度,GB/s
13.4
16.6
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3045
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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