RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2479
2534
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link