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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
43
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2128
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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