RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
43
Autour de 58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
43
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
2128
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link