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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
6.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.8
13.0
写入速度,GB/s
12.5
6.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
1931
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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